IRF540NS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRF540NS (INTERNATIONAL RECTIFIER)	5	73.50
IRF540NS	296	41.00
IRF540NS (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	3	3-4 недели Цена по запросу
IRF540NS (EVVO)	1 735	25.25

Версия для печати

Технические характеристики IRF540NS

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	33A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1960pF @ 25V
Power - Max	130W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF540NL (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=100V, Rds (on) =44mohm, Id=33A)

Также в этом файле: IRF540NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF540NS datasheet
125.72Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5817 (1A 20V)	Диод Шоттки 20В, 1.0A
1N5820 (3A 20V)
4001BT		FAI/QTC
4001BT		FSC
4001BT				22.96
4001BT		КИТАЙ
4001BT		ТАИЛАНД
4001BT		NXP
4001BT		1
4001BT		4-7 НЕДЕЛЬ	660
LQH55DN470M03L	SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA	1 919	159.82
LQH55DN470M03L	SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220		192	168.00
LQH55DN470M03L	SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MUR	3 497	48.67
LQH55DN470M03L	SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA
PBS-33B OFF-(ON)			24 640	28.21
PBS-33B OFF-(ON)			24 640	28.21