IRF5210
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 24A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 40A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF5210S (P-канальные транзисторные модули) 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF5210S
Производитель:
|
