IRF520N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF520N	1	161.28
IRF520NPBF (INFINEON)	8	86.94

Транзистор полевой N-Канальный
Напряжение эмиттер - коллектор 100В
Ток эмитетр коллектор макс. 9.2А
Мощность рассеиваемая макс 60Вт

Версия для печати

Технические характеристики IRF520N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 5.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF520NS (N-канальные транзисторные модули)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF520NL

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF520N datasheet
186.89Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
6Ж5Б-В			29	29.60
CC1206KRX7R9BB103	Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206	YAGEO	99 136	1.03
CC1206KRX7R9BB103	Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206			2.04
CC1206KRX7R9BB103	Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC1206KRX7R9BB103	Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
HYF-260 8PIN (IP68)
HYF-260 8PIN (IP68)
HYF-260 8PIN (IP68)		КИТАЙ
LM2594HVM-5.0/NOPB -8
МЛТ-1-27 КОМ-5%			854	11.34