IRF520N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF520N	2	161.28
IRF520NPBF (INFINEON)	841	46.54

Транзистор полевой N-Канальный
Напряжение эмиттер - коллектор 100В
Ток эмитетр коллектор макс. 9.2А
Мощность рассеиваемая макс 60Вт

Версия для печати

Технические характеристики IRF520N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 5.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF520NS (N-канальные транзисторные модули)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF520NL

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF520N datasheet
186.89Kb
10стр.