IRF3709ZS

Версия для печати

Технические характеристики IRF3709ZS

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	79W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2130pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	87A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 21A, 10V
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3709ZS (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF3709ZS datasheet
377.4 Кб