IRF1407
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 78A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF1407 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B41695A-25V-2200UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В | EPCOS |
|
|
|||
| B41695A-25V-2200UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В |
|
430.92 | ||||
| ECA-25-1000UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | HITANO |
|
|
|||
| ECA-25-1000UF |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В |
|
28.48 | ||||
 |
 |
SCS-14 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP | AUK |
|
|
|
|
|
|
SCS-14 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP | ZHEN |
|
|
|
|
|
|
SCS-14 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP |
|
7.44 | ||
|
|
|
SCS-14 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
SCS-14 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
SCS-14 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP | CONNFLY |
|
|
|
| TL2844DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TL2844DR | TEXAS INSTRUMENTS | 36 |
|
|||||
| TL2844DR |
|
|
||||||
| TL2844DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 605 |
|
