Версия для печати
Технические характеристики IR2117

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Число выходов	1
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	250mA
Время задержки	125ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	High-Side
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

IR2117 SINGLE CHANNEL DRIVER Также в этом файле: IR2117S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IR2117 datasheet 83.48Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс
		IR4428PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4428PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIR
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	DIOTEC	20	2.38
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD	2 683
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MCC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	Fairchild Semiconductor
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223		36 000	1.38  >100 шт.   0.69
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	КИТАЙ
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	ONS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YJ	188 248	1.93
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FSC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY ME
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HOTTECH	16 835	1.12  >100 шт.   0.56
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KLS	16	1.41
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	SUNTAN	8	1.72  >100 шт.   0.86
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE (YJ)
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YOUTAI	104 726	1.49
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSCJ	236 666	3.27
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HXY	142	1.34  >100 шт.   0.67
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSMICRO	74 848	1.39
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	XXW	100	1.14  >100 шт.   0.57
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KEEN SIDE	4 792	1.46  >100 шт.   0.73
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	15850
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	RUME	39 120	1.08  >100 шт.   0.54
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	ASEMI	30 495	1.24  >100 шт.   0.62
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	ST MICROELECTRONICS
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	STMicroelectronics
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	КИТАЙ
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
		UC3844AN			TEXAS INSTRUMENTS
		UC3844AN			ST MICROELECTRONICS
		UC3844AN					69.32
		UC3844AN			STMicroelectronics
		UC3844AN			TEXAS
		UC3844AN			TEXAS INSTRUMEN
		UC3844AN
		UC3844AN			4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"