|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
800
|
12.47
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
332
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
DC COMPONENTS
|
12 372
|
5.48
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
|
19
|
15.12
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
1
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
BOURNS
|
2 192
|
86.79
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
|
|
142.00
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
|
17.72
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
121
|
16.80
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
792
|
10.41
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
10 372
|
8.28
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
560
|
3.42
|
|
|
|
LM393(DIP-8) |
|
Двухканальный компаратор, выход - открытый коллектор
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC00D |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
532
|
51.03
|
|
|
|
SN74AC00D |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
|
|
48.64
|
|
|
|
SN74AC00D |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74AC00D |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74AC00D |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SN74AC00D |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
577
|
|
|