| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADM3491ARZ-REEL7 |
|
|
ANALOG DEVICES
|
32
|
104.52
|
|
|
|
|
ADM3491ARZ-REEL7 |
|
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
ADM3491ARZ-REEL7 |
|
|
ANALOG DEVICES
|
4
|
|
|
|
|
|
ADM3491ARZ-REEL7 |
|
|
ADI
|
|
|
|
|
|
|
CHU-4 |
|
|
|
|
18.24
|
|
|
|
|
CHU-4 |
|
|
|
|
18.24
|
|
|
|
|
CHU-4 |
|
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
CHU-4 |
|
|
KLS
|
36
|
0.81
>500 шт. 0.27
|
|
|
|
|
CHU-4 |
|
|
NXU
|
|
|
|
|
|
|
CHU-4 |
|
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
|
CHU-4 |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
CHU-4 |
|
|
XINLAIYA
|
455
|
3.67
|
|
|
|
CWF-4 |
|
Вилка на плату прямая экранированная , 2.5 мм , 4 контакта 1А, 250В
|
|
800
|
12.95
|
|
|
|
CWF-4 |
|
Вилка на плату прямая экранированная , 2.5 мм , 4 контакта 1А, 250В
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
CWF-4 |
|
Вилка на плату прямая экранированная , 2.5 мм , 4 контакта 1А, 250В
|
KLS
|
10 428
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
CWF-4 |
|
Вилка на плату прямая экранированная , 2.5 мм , 4 контакта 1А, 250В
|
PANASONIC
|
|
|
|
|
|
CWF-4 |
|
Вилка на плату прямая экранированная , 2.5 мм , 4 контакта 1А, 250В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CWF-4 |
|
Вилка на плату прямая экранированная , 2.5 мм , 4 контакта 1А, 250В
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
CWF-4 |
|
Вилка на плату прямая экранированная , 2.5 мм , 4 контакта 1А, 250В
|
JUST MAKE
|
|
|
|
|
|
CWF-4 |
|
Вилка на плату прямая экранированная , 2.5 мм , 4 контакта 1А, 250В
|
NXU
|
|
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
|
8 400
|
3.41
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FAIRCHILD
|
1 169
|
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
ONS-FAIR
|
3 339
|
13.14
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FUXIN
|
330
|
2.98
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
YOUTAI
|
7 723
|
1.86
|
|
|
|
FDN337N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FUXINSEMI
|
1 171
|
3.72
|
|
|
|
|
MAX485ECSA |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX485ECSA |
|
|
|
|
208.08
|
|
|
|
|
MAX485ECSA |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
444
|
|
|