Мощность рассеяния,Вт | 0.125 |
Минимальное напряжение стабилизации,В | 11 |
Номинальное напряжение стабилизации,В | 12 |
Максимальное напряжение стабилизации,В | 13 |
Статическое сопротивление Rст.,Ом | 40 |
при токе I ст,мА | 4 |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.095 |
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.5 |
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 11 |
Рабочая температура,С | -60...125 |
Способ монтажа | в отверстие |
Корпус | kd 2 |
Производитель | Россия |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
52 179
|
1.43
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
456 113
|
1.47
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
77 452
|
3.10
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
203 931
|
1.31
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
4.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
202 605
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
23 251
|
1.03
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
139 112
|
1.08
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
56 800
|
2.07
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
2 330
|
1.36
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
800
|
1.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
14 461
|
1.03
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
75 027
|
2.02
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
26 699
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
93
|
2.18
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
1 130
|
1.16
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
290.60
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
|
4 707
|
9.94
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НЗПП
|
960
|
51.66
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
|
|
67.20
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ИНТЕГРАЛ
|
969
|
71.95
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
RUS
|
|
|
|