| Мощность рассеяния,Вт | 0.125 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 11 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 12 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 13 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 40 |
| при токе I ст,мА | 4 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.095 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.5 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 11 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
97 236
|
1.46
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
407 431
|
1.47
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
77 132
|
2.89
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
126 888
|
1.40
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
4.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
110 354
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
5 083
|
1.03
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
126 664
|
1.23
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
40 800
|
2.07
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
2 311
|
1.36
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
80
|
1.22
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
14 461
|
1.09
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
50 272
|
1.26
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
3 104
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
85
|
1.73
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
1
|
1.10
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEEN SIDE
|
8
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
5 052
|
7.72
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
1 968
|
3.19
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
80 683
|
2.36
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
3 557
|
6.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
721
|
4.84
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
71 448
|
3.73
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
16 572
|
4.96
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.58
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
5.87
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
280
|
6.27
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
29 135
|
2.24
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
24 000
|
2.09
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
48 000
|
2.26
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
6.85
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
60.48
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
|
|
43.12
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERSIL
|
7
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
КС191У |
|
металл
|
|
760
|
27.75
|
|
|
|
КС191У |
|
металл
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КС191У |
|
металл
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС191У |
|
металл
|
СЗТП
|
192
|
67.16
|
|
|
|
|
С2-33Н-0,125-470 КОМ-5% |
|
|
|
|
|
|