| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
|
258
|
758.50
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
МИНСК
|
2
|
1 272.00
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 390
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
|
10 509
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
CJ
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
JSMSEMI
|
35 827
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
KEEN SIDE
|
24 480
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
3000
|
80
|
0.81
>500 шт. 0.27
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
440
|
1
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
|
РЭВ 18А РС4.569.800.0101 |
|
|
|
2 525
|
134.40
|
|
|
|
|
С2-33-0,25-1,5 КОМ-5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С2-33-0.25-1.0К 5% |
|
|
|
|
|
|