| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Т866А |
|
|
|
137
|
9 106.02
|
|
|
|
2Т866А |
|
|
ПУЛЬСАР
|
128
|
6 720.00
|
|
|
|
|
533ИЕ19 |
|
|
|
432
|
51.52
|
|
|
|
|
533ИЕ19 |
|
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
533ИЕ19 |
|
|
МИКРОН
|
7
|
151.20
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
|
21 369
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
YI
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ST MICROELECTRONICS
|
244
|
2.17
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
БРЕСТ
|
695
|
2.10
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
DCCOMP
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
SUNTAN
|
1 253
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ASEMI
|
2 456
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 061
|
27.75
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
30.24
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 665
|
37.80
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|
|
|
КТ920В |
|
|
|
4
|
1 110.00
|
|
|
|
КТ920В |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|