| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±5 V ~ 15 V |
| Ток выходной | 8mA |
| Ток выходной / канал | 38mA |
| Напряжение входного смещения | 500µV |
| Ток - входного смещения | 200nA |
| Полоса пропускания | 10MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 9 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Discontinuance 11/Feb/2009 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
|
|
29.04
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
371
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
|
|
45.76
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
1
|
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
644
|
|
|
|
|
|
74HC4051N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
HGSEMI
|
7
|
37.58
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NSC
|
266
|
78.86
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
16
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
Linear Technology
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
|
|
48.44
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
578
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
35.92
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
SGS
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
|
8
|
45.36
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
1
|
|
|
|
|
|
TL082CD |
|
Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
615
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
|
49 317
|
2.77
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СЗТП
|
80
|
16.40
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СЗТП САРАНСК
|
|
|
|