DG300-5.0-03P-12-00AH

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
C8051F021-GQR	Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 25МГц, ПЗУ 64кБ, ОЗУ 4.25кБ, 2.7 ... 3.6В, ...	SILAB
C8051F021-GQR	Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 25МГц, ПЗУ 64кБ, ОЗУ 4.25кБ, 2.7 ... 3.6В, ...	SLAB
C8051F021-GQR	Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 25МГц, ПЗУ 64кБ, ОЗУ 4.25кБ, 2.7 ... 3.6В, ...	Silicon Laboratories Inc
C8051F021-GQR	Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 25МГц, ПЗУ 64кБ, ОЗУ 4.25кБ, 2.7 ... 3.6В, ...
C8051F021-GQR	Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 25МГц, ПЗУ 64кБ, ОЗУ 4.25кБ, 2.7 ... 3.6В, ...	UNKNOWN	43	2 250.90
C8051F021-GQR	Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 25МГц, ПЗУ 64кБ, ОЗУ 4.25кБ, 2.7 ... 3.6В, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	492
DIP14-S	Панель DIP-14S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм.	HSUAN MAO
DIP14-S	Панель DIP-14S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм.			4.00
DIP16-S	Панель DIP-16S с плоскими контактами	HSUAN MAO
DIP16-S	Панель DIP-16S с плоскими контактами			7.60
LQH55DN220M03L	SMD индуктивность на ферртите 22мкГн, +/-20%, 1.2 A	CHINA
LQH55DN220M03L	SMD индуктивность на ферртите 22мкГн, +/-20%, 1.2 A		12	240.00
LQH55DN220M03L	SMD индуктивность на ферртите 22мкГн, +/-20%, 1.2 A	MUR	3 489	48.49
LQH55DN220M03L	SMD индуктивность на ферртите 22мкГн, +/-20%, 1.2 A	MURATA
PVT412LS	Реле твердотельное 1 канальное AC/DC, 400В, 120мА	INTERNATIONAL RECTIFIER
PVT412LS	Реле твердотельное 1 канальное AC/DC, 400В, 120мА			189.08
PVT412LS	Реле твердотельное 1 канальное AC/DC, 400В, 120мА	ФИЛИППИНЫ
PVT412LS	Реле твердотельное 1 канальное AC/DC, 400В, 120мА	INFINEON