DG129-5.0-03P-14-00AH

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
305-031-12(TB-02B)		XINYA
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS	1 040	85.76
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	CHINA
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``			307.40
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	Bourns Inc
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS	148
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS SENSORS
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	OLITECH
DG129-5.0-02P-14-00AH		DEGSON ELECTRONICS	51 276	23.39
DG129-5.0-02P-14-00AH
R1001N12B1-B50K		SONG HUEI
R1001N12B1-B50K
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP		189	27.60
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	1 932	34.36
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	9 262	32.22
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	РАДИОДЕТ
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	157
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	5643
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	6882