| Функциональное назначение | гнезда на плату |
| Серия | PBS |
| Количество рядов | 1 |
| Количество контактов в ряду | 10 |
| Шаг контактов,мм | 2.54 |
| Форма контактов | угол 90о |
| Материал изолятора | полимер усиленный стекловолокном |
| Сопротивление изолятора не менее,МОм | 500 |
| Материал контактов | фосфористая бронза |
| Покрытие контактов | золото |
| Сопротивление контактов не более,Ом | 0.01 |
| Рабочий ток,А | 1 |
| Рабочее напряжение,В | 500 |
| Предельное напряжение не менее,В | 1500 В перем.тока в течение 1 мин. |
| Способ монтажа | пайка в отверстия на плате |
| Рабочая температура,°С | -55…140 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
32768 HZ(2X6MM) |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
|
316
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DC COMPONENTS
|
7 676
|
3.27
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DIOTEC
|
1 651
|
1.44
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
11 268
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
7 296
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
2 720
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
1.86
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
37
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
HOTTECH
|
86 435
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PANJIT
|
1
|
2.12
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YOUTAI
|
31 381
|
1.85
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YJ
|
98 051
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
JSCJ
|
47 823
|
1.45
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
UMW
|
960
|
2.07
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
CJ
|
1 384
|
1.49
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
SEMTECH
|
17
|
2.56
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
KEEN SIDE
|
13 576
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
1780
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
5000
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
TRR
|
528
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
|
|
32.56
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LGE
|
9 717
|
1.56
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH/NXP
|
32
|
30.01
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LUGUANG
|
2 301
|
4.86
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
|
|
244.80
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
TECH PUB
|
4 369
|
14.99
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
BOURNS
|
158
|
18.60
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
|
|
57.60
|
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом
|
КИТАЙ
|
8
|
15.01
|
|