FDD6612A
30v n-channel powertrench mosfet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.4nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDD6612A (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FQD17P06TM |
|
Транзистор MOSFET , P- канальный , 60В, 12А | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FQD17P06TM |
|
Транзистор MOSFET , P- канальный , 60В, 12А | FSC |
|
|
|
|
|
|
FQD17P06TM |
|
Транзистор MOSFET , P- канальный , 60В, 12А |
|
|
||
|
|
|
FQD17P06TM |
|
Транзистор MOSFET , P- канальный , 60В, 12А | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQD17P06TM |
|
Транзистор MOSFET , P- канальный , 60В, 12А | ONS |
|
|
|
|
|
|
FQD17P06TM |
|
Транзистор MOSFET , P- канальный , 60В, 12А | FAIRCHILD | 1 | 50.82 |
