DMG3415UFY4-7
|
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 281.9pF @ 10V |
| Power - Max | 490mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 3-DFN |
| Корпус | DFN2015H4-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
