К531ТМ2П

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К155ИЕ6			824	45.29
К155ИЕ6		МЕЗОН
К155ИЕ6		АЗОН
К155ИЕ6		RUS
К155ИР1	Четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр		18	45.36
К155ИР1	Четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр	АЗОН
К155ИР1	Четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр	МЕЗОН
К155ИР1	Четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр	МИОН
К155ИР1	Четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр	МИКРОН	208	89.89
К155ТМ8	(SN74175N) (1990-97г)		1	27.75
К155ТМ8	(SN74175N) (1990-97г)	МИНСК
КП103Ж1			107	16.40
КП103Ж1		ВИННИЦА
КП103Ж1		RUS
КП103Ж1		ОКТЯБРЬ	144	20.66
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	124	39.04
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		520	33.12
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР