Версия для печати

2SC2570A (Дискретные сигналы) High Frequency Low Noise Amplifier Npn Silicon Epitaxial Transistor Также в этом файле: 2SC2570A-T Производитель: NEC //www.ncsd.necel.com 2SC2570A datasheet 121.75Kb 8стр.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CDBLA455KCAY24-B0			MUR
		CDBLA455KCAY24-B0					62.04
		CDBLA455KCAY24-B0			MURATA	6 000	35.28
		К10-17Б-56 ПФ				8	7.40
		К10-17Б-NPO-560ПФ 50 (5%)
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...		3 624	25.76
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	ФОТОН	12 770	31.50
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕСАНДРОВ
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	RUS
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	9 462	37.80
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"