|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2РМ14КПН4Г1В1 |
|
Розетка кабельная прямая для неэкранированного кабеля 4 контакта покрытие серебро
|
|
116
|
2 208.00
|
|
|
|
2РМ14КПН4Г1В1 |
|
Розетка кабельная прямая для неэкранированного кабеля 4 контакта покрытие серебро
|
POL-SUN
|
|
|
|
|
|
2РМ14КПН4Г1В1 |
|
Розетка кабельная прямая для неэкранированного кабеля 4 контакта покрытие серебро
|
КАЗАНЬ
|
|
|
|
|
|
2РМ14КПН4Г1В1 |
|
Розетка кабельная прямая для неэкранированного кабеля 4 контакта покрытие серебро
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
2РМ14КПН4Г1В1 |
|
Розетка кабельная прямая для неэкранированного кабеля 4 контакта покрытие серебро
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2РМ14КПН4Г1В1 |
|
Розетка кабельная прямая для неэкранированного кабеля 4 контакта покрытие серебро
|
ЭЛЕКОН
|
|
|
|
|
|
2РМ14КПН4Г1В1 |
|
Розетка кабельная прямая для неэкранированного кабеля 4 контакта покрытие серебро
|
РОССИЯ
|
25
|
4 024.44
|
|
|
|
2РМ14КПН4Г1В1 |
|
Розетка кабельная прямая для неэкранированного кабеля 4 контакта покрытие серебро
|
NO NAME
|
16
|
3 281.45
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
|
|
1 053.60
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 351
|
|
|
|
|
ECAP 100/16V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 16 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/16V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 16 В, 105С
|
|
|
6.00
|
|
|
|
ECAP 100/16V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 16 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/16V 0511 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 16 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
186 267
|
9.08
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
6 208
|
7.25
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
2 560
|
4.13
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
129
|
393.55
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
|
|
327.16
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
201
|
|
|