Версия для печати
Технические характеристики MMBTA06-TP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	300mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23

MMBTA06-TP datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	FAIR
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	MCC
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )		1 788	2.39
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP	16 000
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS	28 085
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NEXPERIA
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SUNTAN
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	WUXI XUYANG	10 850	1.35
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SEMTECH	78	1.79
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	HOTTECH	282	1.60  >100 шт.   0.80
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	1
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PLINGSEMIC	29 286	1.56  >100 шт.   0.78
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIR
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	PHILIPS
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIRCHILD
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIRCHILD
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	PHILIPS	647
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	Fairchild Semiconductor
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NXP
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NXP	8 950
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FSC
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	ONS
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	ONS-FAIR
		BSR14		Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NEXPERIA	2 400	7 111.90
		BZV55-C16		Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА	DC COMPONENTS	124 616	1.43
		BZV55-C16		Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА	NXP	8 947	1.59
		BZV55-C16		Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА	PHILIPS
		BZV55-C16		Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА	NXP	25 136
		BZV55-C16		Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА	PHILIPS	1 684
		BZV55-C16		Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
		BZV55-C16		Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА	KEEN SIDE	10 184	1.41  >500 шт.   0.47
		MJD122T4			ST MICROELECTRONICS
		MJD122T4			ON SEMICONDUCTOR
		MJD122T4			MOTOROLA
		MJD122T4				1 394	47.04
		MJD122T4			ST MICROELECTRONICS SEMI	29
		MJD122T4			STMicroelectronics	15 992	62.53
		MJD122T4			ST MICROELECTRO
		MJD122T4			<>
		UCC28600D			TEXAS INSTRUMENTS	120	1 602.32
		UCC28600D					280.00
		UCC28600D			TEXAS
		UCC28600D			4-7 НЕДЕЛЬ	679

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"