| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
9 163
|
1.41
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.86
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
4 883
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
31 629
|
1.17
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
PHILIPS
|
647
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
NXP
|
8 950
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
NEXPERIA
|
2 400
|
8 361.71
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIRCHILD
|
57
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
DC COMPONENTS
|
42 994
|
1.38
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
NXP
|
8 947
|
1.63
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
NXP
|
25 136
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
PHILIPS
|
1 684
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
KEEN SIDE
|
10 992
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
|
1 414
|
46.27
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
29
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
STMicroelectronics
|
15 992
|
60.54
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
<>
|
|
|
|