| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IR2153D |
|
Самотактируемый полумостовой драйвер
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2153D |
|
Самотактируемый полумостовой драйвер
|
|
|
765.40
|
|
|
|
|
IR2153D |
|
Самотактируемый полумостовой драйвер
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2153D |
|
Самотактируемый полумостовой драйвер
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
76
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
|
513
|
111.00
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YJ
|
1 900
|
24.19
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
HOTTECH
|
5 344
|
24.12
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
KOME
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGJIE
|
3 200
|
26.22
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
RUME
|
1 600
|
22.11
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
5 876
|
22.39
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
7 380
|
19.64
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 512
|
21.41
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
203
|
55.34
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
28 566
|
30.50
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
24.36
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
304
|
16.13
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
1 243
|
15.97
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TRR
|
960
|
16.17
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
266
|
40.60
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
1
|
113.40
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TL071CP |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
601
|
|
|
|
|
|
СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ ФОЛЬГИР.1.5ММ 1-СТОРОН. |
|
|
|
|
700.00
|
|
|
|
|
СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ ФОЛЬГИР.1.5ММ 1-СТОРОН. |
|
|
УДАЛЕНО
|
|
|
|
Версия для печати
