IRLHM620TRPBF
|
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 26A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 78nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3620pF @ 10V |
| Power - Max | 2.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VQFN Exposed Pad |
| Корпус | PQFN (3x3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CC1206KKX5R8BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 25B | YAGEO | 67 847 | 3.73 | ||
|
|
CC1206KKX5R8BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 25B |
|
117.52 | |||
|
|
CC1206KKX5R8BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 25B | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
CC1206KKX5R8BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 25B | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
| CC1206KRX7R8BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | YAGEO | 76 308 | 1.56 | |||
| CC1206KRX7R8BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В |
|
|
||||
| CC1210MKX5R5BB107 |
|
Керамический конденсатор 100 мкФ 6.3 В | YAGEO | 24 787 | 16.89 | |||
| CC1210MKX5R5BB107 |
|
Керамический конденсатор 100 мкФ 6.3 В |
|
|
||||
| RC1206FR-0710KL | YAGEO | 157 451 |
1.08 >500 шт. 0.36 |
|||||
| RC1206FR-0710KL | YAGEO | 3 200 |
|
|||||
| RC1206FR-0710KL |
|
|
||||||
 |
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD | BOURNS | 168 | 34.96 | ||
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD |
|
96.00 | |||
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD | ВОURNS | 192 | 20.66 |
