SS8PH10-M3/86A
|
|
Версия для печати
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 8A |
| Серия | eSMP™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 100V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-277, 3-PowerDFN |
| Корпус | TO-277A |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CC0805JRNPO9BN101 |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 50 В | YAGEO | 592 198 |
0.93 >500 шт. 0.31 |
|||
| CC0805JRNPO9BN101 |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 50 В | PHYCOMP |
|
|
|||
| CC0805JRNPO9BN101 |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 50 В | 2 359 |
|
||||
 |
 |
CRCW2512330RJNEG |
|
Резистор чип для поверхностного монтажа 330Ом, 500В, 1Вт, 1% | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
CRCW2512330RJNEG |
|
Резистор чип для поверхностного монтажа 330Ом, 500В, 1Вт, 1% | Vishay/Dale |
|
|
|
|
|
|
CRCW2512330RJNEG |
|
Резистор чип для поверхностного монтажа 330Ом, 500В, 1Вт, 1% |
|
|
||
| LG450M0068BPF-2230 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 450 В | YAGEO |
|
|
|||
| LG450M0068BPF-2230 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 450 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| LG450M0068BPF-2230 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 450 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
|
|
STM1001SWX6F | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
STM1001SWX6F |
|
82.00 | |||||
|
|
STM1001SWX6F | ST MICROELECTRONICS SEMI | 2 536 |
|
||||
|
|
STM1001SWX6F | STMicroelectronics |
|
|
||||
|
|
STM1001SWX6F | 4-7 НЕДЕЛЬ | 217 |
|
||||
 |
|
TNPW2512162RBEEY |
|
Vishay/Dale |
|
|
