| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
100МКФ100В(10X21)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
100МКФ100В(10X21)105°C |
|
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
DDZ33-7 |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
DDZ33-7 |
|
|
DIODES INC.
|
62 768
|
|
|
|
|
|
DDZ33-7 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DDZ33-7 |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
|
2
|
74.00
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
89.79
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
|
1
|
216.72
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
100
|
127.52
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 259
|
22.08
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
4 867
|
32.22
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
7021
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
9
|
|
|
|
Версия для печати
