| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
ITL/HAR
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
INTERSIL
|
8
|
107.75
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
ITL
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
|
|
59.48
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
1
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
146
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
|
|
130.80
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
США
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
К553УД1В |
|
|
|
2 392
|
119.90
|
|
|
|
К553УД1В |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
К553УД1В |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
644
|
33.12
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
32.79
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
10 017
|
38.16
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
РАДИОДЕТ
|
152
|
21.48
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
157
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
5643
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
6882
|
|
|
|
|
|
|
Т161-160-3 |
|
|
|
|
2 340.00
|
|