HAT2170H-EL-E


Купить HAT2170H-EL-E ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HAT2170H-EL-E MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Версия для печати

Технические характеристики HAT2170H-EL-E

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 22.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C45A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4650pF @ 10V
Power - Max30W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-100, SOT-669
КорпусLFPAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


HAT2170H-EL-E datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход