ПГК-4П2Н-К8

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К140УД8Б			104	688.20
К140УД8Б		ТОНДИ
К176ЛП2			1 734	16.40
К176ЛП2		ХАБАРОВСК	25	9.30
К176ЛП2		НЗПП
К176ЛП2		32
К574УД1Б			139	331.84
К574УД1Б		ТОНДИ
К574УД1Б		МИКРО-М	371	102.30
К574УД1Б		ТАЛЛИН
К574УД1Б		КАЛУГА	611	93.00
КП103М	Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА			113.52
КП103М	Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА	ВИННИЦА
КП103М	Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА	RUS
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		1 051	17.64
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	507	14.84
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ