ВС-10-300 ОМ-5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3ОД101А			89	105.84
3ОД101А		ТАНТАЛ	331	91.95
3ОД101А		ОПТРОН
3ОД101А		RUS
L-34SF7BT ИК-СВЕТОДИОД 850НМ. 50°. 45МВТ		KINGBRIGHT
L-34SF7BT ИК-СВЕТОДИОД 850НМ. 50°. 45МВТ
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ON SEMICONDUCTOR
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц			63.88
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ONS
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTR
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTRONICS
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	STMICROELECTR
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	HOTTECH	55	37.75
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KEC
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZH
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	FAIRCHILD	12	22.51
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KLS
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZHONGDI
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	БРЯНСК	790	132.30
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ISC	502	52.55
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIR
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	PHILIPS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	532	32.13
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UTC
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIRCHILD
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS THOMSON
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMicroelectronics
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	Fairchild Semiconductor
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...			21.28
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC TAEJIN	800	16.53
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC	197	17.32
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	320
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...		1 985	18.90
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...	МИНСК