KA2201
УHЧ 0.5W (6V/8 Ом)
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом) | UTC |
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом) | 24 | 34.00 | ||
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 48 |
|
|
| NJM386D |
|
|
||||||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 |
|
34.60 | |||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | UTC |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS THOMSON |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 678 |
|
