|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 44A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 73A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3550pF @ 50V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRFS4610 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КР1801ВП1-037 |
|
144.00 | ||||||
| КР1801ВП1-037 | АНГСТРЕМ |
|
|