MSB710-RT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MSB710-RT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	492	3-4 недели Цена по запросу

TRANS PNP GP BIPO 50V SC-59

Версия для печати

Технические характеристики MSB710-RT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 30mA, 300mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 150mA, 10V
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SC-59

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MSB710-RT1G datasheet