BSP300

Версия для печати

Технические характеристики BSP300

Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 Ohm @ 190mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	190mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	230pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	PG-SOT223-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт			1 329.60
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
SPD02N60C3		INFINEON
SPD02N60C3		Infineon Technologies
SPD02N60C3
SPD02N60C3		INFINEON
UC2845BD1		ST MICROELECTRONICS
UC2845BD1				76.92
UC2845BD1		STMicroelectronics
UC2845BD1		ON Semiconductor
UC2845BD1		МАЛАЙЗИЯ
UC2845BD1		4-7 НЕДЕЛЬ	56
UC3845BD1		SGS
UC3845BD1		ST MICROELECTRONICS	800	35.91
UC3845BD1				60.52
UC3845BD1		SGS THOMSON
UC3845BD1		ST MICROELECTRONICS SEMI	24
UC3845BD1		STMicroelectronics
UC3845BD1		ON Semiconductor
UC3845BD1		STMICROELECTRO
UC3845BD1		1
UC3845BD1		4-7 НЕДЕЛЬ	556