|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SPD02N60C3 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPD02N60C3 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPD02N60C3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
SPD02N60C3 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
UC2845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
UC2845BD1 |
|
|
|
|
76.92
|
|
|
|
UC2845BD1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC2845BD1 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC2845BD1 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
UC2845BD1 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
56
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
35.91
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
|
|
60.52
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
STMICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
556
|
|
|