| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
MC34063AG- S08-T[R] |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MC34063AG- S08-T[R] |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MC34063AG- S08-T[R] |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
181
|
|
|
|
|
|
MC34063AL-D08-T |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MC34063AL-D08-T |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
|
|
|
|
|
|
|
MC34063AL-D08-T |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MC34063AL-D08-T |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
|
|
422.60
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
К574УД1А |
|
быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением.
|
|
2
|
508.75
|
|
|
|
|
К574УД1А |
|
быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением.
|
МИКРО-М
|
|
|
|
|
|
|
К574УД1А |
|
быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением.
|
ТАЛЛИН
|
|
|
|
|
|
|
К574УД1А |
|
быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением.
|
ТОНДИ
|
|
|
|
|
|
|
К574УД1А |
|
быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением.
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
К574УД1А |
|
быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением.
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
604
|
13.62
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
180
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 284
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
6.92
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
Версия для печати
