|
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 27A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 400nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9740pF @ 25V |
| Power - Max | 520W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
050512.5MXP |
|
Littelfuse Inc |
|
|
||
| B57153-S100-M51 | EPCS |
|
|
|||||
|
|
CM50DY-24H |
|
2 IGBT 1200V 50A 3-поколение, H-Series | MITSUBISHI |
|
|
||
|
|
CM50DY-24H |
|
2 IGBT 1200V 50A 3-поколение, H-Series |
|
9 932.00 | |||
|
|
CM50DY-24H |
|
2 IGBT 1200V 50A 3-поколение, H-Series | Powerex Inc |
|
|
||
|
|
DSEI2X30-10B |
|
IXYS |
|
|
|||
|
|
DSEI2X30-10B |
|
|
|
||||
| MAL205356102E3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 400 В |
|
|