| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
40 506
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
860
|
53.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
174
|
77.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
153
|
53.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
1527
|
|
|
|
|
|
|
ESQ-132-14-G-D |
|
|
SAMTEC
|
|
|
|
|
|
|
ESQ-132-14-G-D |
|
|
|
|
1 844.40
|
|
|
|
|
ESQ-132-14-G-D |
|
|
Samtec Inc
|
|
|
|
|
|
|
ESQ-132-14-G-D |
|
|
SAMTEC
|
|
|
|
|
|
|
HB-12(MU-12F) PITCH |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM2675M-5.0/NOPB |
|
SO8
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2675M-5.0/NOPB |
|
SO8
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2675M-5.0/NOPB |
|
SO8
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2675M-5.0/NOPB |
|
SO8
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2675M-5.0/NOPB |
|
SO8
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2675M-5.0/NOPB |
|
SO8
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM2675M-5.0/NOPB |
|
SO8
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2675M-5.0/NOPB |
|
SO8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
368
|
|
|
|
|
|
XPGWHT-L1-0000-00H51 |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
|
XPGWHT-L1-0000-00H51 |
|
|
Cree Inc
|
|
|
|
|
|
|
XPGWHT-L1-0000-00H51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XPGWHT-L1-0000-00H51 |
|
|
CREE-LED
|
|
|
|