МИКРОФОН 7Х5.4 (62 2DB)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz	SAMSUNG
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
КТ368А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		1	86.40
КТ368А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ДАЛЕКС
КТ368А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА			16.72
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	СВЕТЛАНА
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	МИНСК
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368АМ	Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА	ИНТЕГРАЛ	26	15.12
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		630	37.80
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ДАЛЕКС
КТ368БМ	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ610А	Транзистор структуры NPN усилительный		3	555.00
КТ610А	Транзистор структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ610А	Транзистор структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ610А	Транзистор структуры NPN усилительный	НУКЛОНАС