ZVN4424A
N-channel enhancement mode vertical dmos fet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V |
| Power - Max | 750mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ZVN4424A (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
564КТ3 | 4 | 314.50 | |||||
|
|
564КТ3 | ИВАНОВО-ФРАНКОВСК |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | ВОСХОД | 52 | 181.44 | ||||
|
|
564КТ3 | ПАВЛОВ ПАСАД |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | МИКРОН |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | ПАВЛОВ ПОСАД |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | КАЛУГА | 33 | 94.50 | ||||
|
|
564КТ3 | ЭКСИТОН |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | ПАВЛО ПОСАД |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | ПАВЛОВ.ПОСАД |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | ФОРМ |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | МИСКВА ФОРМ |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | МОСКВА ФОРМ |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | РОДОН |
|
|
||||
|
|
564КТ3 | АЗОН |
|
|
||||
| HVC2512-10MFT18 |
|
|
||||||
| RC55Y-1K62BI | IRC |
|
|
|||||
 |
RC55Y-2K0BI |
|
TT Electronics/Welwyn |
|
|
|||
|
|
RC55Y-2K0BI |
|
IRC |
|
|
|||
 |
|
STD3NK90Z |
|
N-channel 900v - 4.1w - 3a dpak/ipak zener-protected supermesh™power mosfet | ST MICROELECTRONICS |
|
|
