| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
559
|
5.55
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
13 631
|
1.37
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
35 938
|
1.50
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
17 583
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
9.45
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
214
|
4.10
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
2 449
|
2.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.30
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
|
8
|
74.00
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
JSMICRO
|
1 661
|
31.15
|
|
|
|
IRF540NSPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540NSPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540NSPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF540NSPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
75.60
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
15
|
79.55
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
78
|
20.65
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
19 576
|
12.64
|
|
|
|
КЦ106Г |
|
Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА
|
|
175
|
125.12
|
|
|
|
КЦ106Г |
|
Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КЦ106Г |
|
Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА
|
СЗТП
|
88
|
170.10
|
|
|
|
КЦ106Г |
|
Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|