IRFB52N15D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB52N15D	1	476.28
IRFB52N15D	1	476.28

Версия для печати

Технические характеристики IRFB52N15D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 36A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	51A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2770pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB52N15D (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB52N15D datasheet
340.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель
MBR0520LT1	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	MOTOROLA
MBR0520LT1	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
MBR0520LT1	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	MOTOROLA
MBR0520LT1	Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
PBYR30100WT.127	Диод Шоттки 100V 30A	NXP