| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
|
38 160
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
23 237
|
1.51
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
36 964
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
54 843
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
610
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YJ
|
350 664
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
39 244
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
15 320
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
|
|
6.00
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TSC
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
REC
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YJ
|
23 271
|
2.32
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
SUNTAN
|
2 338
|
2.22
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ASEMI
|
52
|
1.71
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
40
|
1.69
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
308
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
2 582
|
19.71
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
IR/VISHAY
|
1
|
29.04
|
|
|
|
|
КТ 3102 К |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ 3107 А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|