| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
REC
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YJ
|
18 984
|
1.91
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY ME
|
878
|
1.82
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
SUNTAN
|
2 304
|
2.21
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ASEMI
|
52
|
1.70
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
40
|
1.72
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGZHOU YANGJIE
|
1 298
|
2.98
|
|
|
|
 |
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
309
|
98.28
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
DC COMPONENTS
|
35
|
12.60
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
|
11 400
|
12.60
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
MIC
|
1 938
|
12.60
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
TY
|
|
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
BL
|
1
|
12.60
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
MCC
|
20
|
12.60
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
SEMICJNDUCTOR
|
71
|
12.60
|
|
|
|
|
КТ 3102 К |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ 3107 А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
