IRFRC20PBF
Полевой транзистор N-канальный (600V, 2A, 42W, 4.4R)
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFRC20PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.47МКФ 100 (5X11,НЕПОЛЯРН.) |
|
|
||||||
| 0.47МКФ 50 (4X5)105°C |
|
|
||||||
| 1000МКФ 16 (10Х21,АКС.)105°C |
|
|
||||||
| 100МКФ 200 (16X25)105°C |
|
|
||||||
| 22МКФ 350 (13X21)105°C |
|
|
