IPD60R1K4C6
|
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | CoolMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 200pF @ 100V |
| Power - Max | 28.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | PG-TO252-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
