PHU-05 PITCH 3.96 MM

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT131-600,116	Симистор в корпусе ТО-92 600В, 1A	NXP Semiconductors
BT131-600,116	Симистор в корпусе ТО-92 600В, 1A	NXP
BT131-600,116	Симистор в корпусе ТО-92 600В, 1A	WEEN
BT131-600,116	Симистор в корпусе ТО-92 600В, 1A
BT131-600,116	Симистор в корпусе ТО-92 600В, 1A	WEEN SEMICONDUC
BT131-600,116	Симистор в корпусе ТО-92 600В, 1A	WEEN SEMICOND
PWL-03 PITCH 3.96 MM			8 000	3.10
PWL-03 PITCH 3.96 MM		RUICHI	262	7.01
PWL-05 PITCH 3.96 MM			1	3.28
PWL-05 PITCH 3.96 MM		КИТАЙ
КВ109Б		ДНЕПР	532	8.59
КВ109Б			2	20.16
КВ109Б			2	20.16
КВ109Б		370
КВ109Б		РАДИОДЕТ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	31	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		222	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	30	96.09