РШ2Н-1-17-В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
РШ2Н-1-17-В	4	259.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
АЛ307ВМ ЗЕЛ.	Светодиод зеленый, круглый,5мм, 0.4мКд, 2,8В	ПЛАНЕТА
АЛ307ВМ ЗЕЛ.	Светодиод зеленый, круглый,5мм, 0.4мКд, 2,8В	СТАРТ
АЛ307ВМ ЗЕЛ.	Светодиод зеленый, круглый,5мм, 0.4мКд, 2,8В
КП303Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...		1	185.00
КП303Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	ФОТОН
КП303Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный		1 296	10.12
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	944	10.58
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	БРЯНСК	3 452	2.21
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	МИНСК
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	НАЛЬЧИК
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	RUS
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	44	10.91
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		846	23.00
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	532	26.46
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 472	33.60
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
СП5-22 - 1 ВТ 2.2 КОМ 5%