BSH105

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH105 (PHILIPS.)	240	3-4 недели Цена по запросу
BSH105 (NXP.)	1 559	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH105

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 600mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.05A
Vgs(th) (Max) @ Id	570mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	152pF @ 16V
Power - Max	417mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH105 (MOSFET)

N-channel enhancement mode MOS transistor

Производитель:
NXP

BSH105 datasheet
110.5 Кб