Версия для печати
Технические характеристики IRLL3303PBF

Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 4.6A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	840pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY13A-PU		Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ	ATMEL
		ATTINY13A-PU		Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ		1 867	96.52
		ATTINY13A-PU		Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		ATTINY13A-PU		Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ	MICRO CHIP	96	258.30
		ATTINY13A-PU		Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ	4-7 НЕДЕЛЬ	560
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAI/QTC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	PHILIPS
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FSC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	NXP
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	MCC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIRCHILD
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIRCHILD
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	NXP	1 066
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	PHILIPS	15 999
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	Fairchild Semiconductor
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ГОНКОНГ
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz			7.88
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	1
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAI/QTC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIR
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	NXP
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA			14.92
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	Fairchild Semiconductor
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	ЯПОНИЯ
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	6 112	14.82
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	UTC
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		17	37.00
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMicroelectronics
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTR
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMEN
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	766

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"