| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
78 600
|
1.10
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
3
|
4.11
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.76
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
363 138
|
1.02
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
104
|
1.51
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
158 369
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
285
|
1.16
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
40 443
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
1 263
|
1.51
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
70 396
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KEEN SIDE
|
24 704
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
9156
|
80
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
|
DS2482S-100+ |
|
Микросхема I2C to 1-wire bridge
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS2482S-100+ |
|
Микросхема I2C to 1-wire bridge
|
|
|
220.00
|
|
|
|
|
DS2482S-100+ |
|
Микросхема I2C to 1-wire bridge
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
DS2482S-100+ |
|
Микросхема I2C to 1-wire bridge
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
DS2482S-100+ |
|
Микросхема I2C to 1-wire bridge
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS2482S-100+ |
|
Микросхема I2C to 1-wire bridge
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS2482S-100+ |
|
Микросхема I2C to 1-wire bridge
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
569
|
|
|
|
|
|
DS9503P+ |
|
ИМС ESD защита 1-пров. Microlant
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS9503P+ |
|
ИМС ESD защита 1-пров. Microlant
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS9503P+ |
|
ИМС ESD защита 1-пров. Microlant
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
DS9503P+ |
|
ИМС ESD защита 1-пров. Microlant
|
DS
|
|
|
|
|
|
|
DS9503P+ |
|
ИМС ESD защита 1-пров. Microlant
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
DS9503P+ |
|
ИМС ESD защита 1-пров. Microlant
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
DS9503P+ |
|
ИМС ESD защита 1-пров. Microlant
|
MAXIM
|
124
|
|
|
|
|
|
DS9503P+ |
|
ИМС ESD защита 1-пров. Microlant
|
|
5
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRONICS
|
36 106
|
5.14
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
|
43 620
|
4.38
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
STMICROELECTRONICS
|
11 066
|
9.39
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECT
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
0.00
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
218
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
16500
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
2
|
1
|
2.02
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
16456
|
1
|
2.35
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
10 140
|
7.87
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
|
628
|
7.25
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
FULIHAO
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ABUTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
608
|
|
|