IXTZ550N055T2
|
MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 100A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 550A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 595nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 40000pF @ 25V |
| Power - Max | 600W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DE475 |
| Корпус | DE475 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
