| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
|
|
940.00
|
|
|
|
|
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
1 232
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
134
|
1 771.15
|
|
|
|
|
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128L-8AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
748
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
39 952
|
3.19
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
3 614
|
2.24
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
55 392
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
YAGEO
|
16 312 898
|
0.85
>1000 шт. 0.17
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
PHY
|
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
|
3
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
YAGEO
|
2 206
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
СКЛАД
|
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
NRF24L01P-R |
|
|
NORDIC
|
19 096
|
83.10
|
|
|
|
|
NRF24L01P-R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NRF24L01P-R |
|
|
NORDIC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
RC0603JR-07180RL |
|
|
YAGEO
|
282 407
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
|
RC0603JR-07180RL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0603JR-07180RL |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
